Samsung вдига летвата в областта на изкуствения интелект
Във вторник Samsung Electronics съобщи, че е разработил нов чип за паме, който има "най-високия капацитет до момента" в индустрията.
Публикувано от Божидар Балевски фев 29, 2024 в Изкуствен интелект
Южнокорейският технологичен гигант Samsung Electronics представи HBM3E 12H - чип с високоскоростна памет (High-Bandwidth Memory), който може да се похвали с най-високия капацитет в индустрията до момента. Това бележи значителна стъпка напред в стремежа на Samsung към технологично лидерство на пазара на високопроизводителни памети, особено за приложения с изкуствен интелект (ИИ).
Разкриване на чипа
HBM3E 12H се отличава с 12-слоен стек, който има значителен капацитет от 36 GB - 50% увеличение в сравнение с 8-слойния му предшественик HBM3 8H. Това води до значително повишаване на производителността, като пропускателната способност достига забележителните 1280 гигабайта в секунда (GB/s) - още 50% подобрение в сравнение с предишната версия.
Преодоляване на недостига на памет за изкуствен интелект
"Доставчиците на услуги за изкуствен интелект в индустрията все повече се нуждаят от HBM с по-висок капацитет", обясни Йонгчеол Бае, изпълнителен вицепрезидент на отдела за планиране на продукти с памет в Samsung Electronics. HBM3E 12H директно отговаря на тази нужда, като осигурява паметта, необходима на усъвършенстваните системи за изкуствен интелект, особено на генеративните модели като ChatGPT на OpenAI.
Тези модели разчитат в голяма степен на високопроизводителна памет, за да запазят детайли от минали взаимодействия и потребителски предпочитания, което им позволява да генерират отговори, подобни на човешките. Увеличеният капацитет и производителност на HBM3E 12H им дават възможност да се справят със сложни задачи с по-голяма ефективност.
На гребена на вълната на изкуствения интелект
Съобщението идва в подходящ момент, съвпадащ с продължаващата вълна на внедряване на изкуствен интелект в различни индустрии. Този бум подхранва растежа на производители на чипове като Nvidia, чиито приходи за четвъртото тримесечие скочиха с 265% благодарение на нарастващото търсене на графични процесори (GPU) - ключови компоненти, използвани при обучението и работата на модели на ИИ като ChatGPT.
Въпреки че главният изпълнителен директор на Nvidia Дженсън Хуанг очаква предизвикателства при поддържането на този експоненциален растеж, HBM3E 12H е добре подготвен да отговори на нарастващите изисквания за памет на бъдещите системи за изкуствен интелект. Samsung подчертава способността на чипа да оптимизира управлението на ресурсите и да намалява оперативните разходи на центровете за данни, като допълнително подчертава предложението за неговата стойност.
Конкурентен пазар
Докато Samsung отбелязва тази иновация, конкурентният пейзаж на пазара на високопроизводителни памети остава динамичен. SK Hynix, друг южнокорейски производител на чипове за памет, преди това заемаше водеща позиция в доставките на HBM3 чипове за Nvidia. Освен това Micron наскоро обяви масовото производство на своята 24GB 8L HBM3E, което показва засилване на конкуренцията в сегмента на HBM3E с висока плътност.
Samsung признава тази конкурентна среда, заявявайки, че HBM3E 12H "ще осигури лидерство в HBM3E продукта с по-висока плътност (36GB), базиран на по-висок слой (12L), за Nvidia". Това твърдение подчертава продължаващата битка за пазарен дял и технологично превъзходство в индустрията на чиповете за памет.
Технически иновации за по-голяма плътност
HBM3E 12H включва няколко технически нововъведения за постигане на впечатляващ капацитет и производителност. По-специално, той използва усъвършенствана технология за непроводящ филм с термично компресиране (NCF). Това позволява на 12-слойния чип да поддържа същата височина като 8-слойния си аналог, като осигурява съвместимост със съществуващите изисквания за опаковане на HBM.
Освен това Samsung подчертава успеха си в намаляването на дебелината на NCF материала и постигането на водеща в индустрията разлика от само седем микрометра между чиповете. Тези постижения допринасят за 20% увеличение на вертикалната плътност в сравнение с HBM3 8H, проправяйки пътя към по-компактен и ефективен дизайн.
В перспектива
Samsung е започнала да взема проби от HBM3E 12H при клиенти и очаква масовото производство да започне през първата половина на 2024 година. Това пускане на пазара означава значителна крачка напред в технологията на чиповете за памет, като обещава да даде възможност на следващото поколение системи за изкуствен интелект. Тъй като пазарът на изкуствения интелект продължава да се развива, HBM3E 12H позиционира Samsung като силен претендент в надпреварата за предоставяне на решения за памет, които ще подхранват бъдещето на изкуствения интелект.
